降低沟槽内残留物的方法专利登记公告
专利名称：降低沟槽内残留物的方法
摘要：本发明公开了一种降低沟槽内残留物的方法，依次进行氧化硅层的刻蚀及衬垫层蚀除LRM，在LRM之后，采用氧气等离子体灰化的方法，去除LRM过程中产生的聚合物。采用该方法能够去除沟槽内产生的聚合物，从而降低由聚合物演变而成的难以清除的残留物，最终提高器件的性能。
专利类型：发明专利
专利号：CN200910046710.7
专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
专利发明（设计）人：厉渊;刘昌伙
主权项：一种降低沟槽内残留物的方法，依次进行氧化硅层的刻蚀及衬垫层蚀除LRM，其特征在于，在LRM之后，采用氧气等离子体灰化的方法，去除LRM过程中产生的聚合物。
专利地区：上海
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