制造分离栅级存储器浮栅的方法专利登记公告

专利名称：制造分离栅级存储器浮栅的方法

摘要：本发明公开了一种制造分离栅级存储器浮栅的方法，包括如下步骤：在单晶硅晶片表面沉积第一氧化硅薄膜；在所述第一氧化硅薄膜的上表面沉积氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜的厚度大于所需浮栅的厚度；在所述氮化硅薄膜的上表面沉积第二氧化硅薄膜；对所述晶片依次进行浅沟槽隔离(STI)光刻、STI沉积、STI平坦化、移除氮化硅、浮栅多晶硅沉积和浮栅平坦化处理。本发明能够很好地控制浮栅厚度，使其达到预设的取值范围。

专利类型：发明专利

专利号：CN200910046775.1

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

专利发明（设计）人：王友臻;周儒领;洪中山;何其旸;黄淇生;詹奕鹏

主权项：一种制造分离栅级存储器浮栅的方法，其特征在于，包括如下步骤：在单晶硅晶片表面沉积第一氧化硅薄膜；在所述第一氧化硅薄膜的上表面沉积氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜的厚度大于所需浮栅的厚度；在所述氮化硅薄膜的上表面沉积第二氧化硅薄膜；对所述晶片依次进行浅沟槽隔离STI光刻、STI沉积、STI平坦化、移除氮化硅、浮栅多晶硅沉积和浮栅平坦化处理。

专利地区：上海