氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法专利登记公告
专利名称：氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法
摘要：一种氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法，其中该氮化镓基雪崩型探测器包括：一衬底；一N型掺杂的GaN欧姆接触层制作在衬底上；一非故意掺杂GaN吸收层制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上，该非故意掺杂GaN吸收层的面积小于N型掺杂的GaN欧姆接触层的面积；一N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层制作在非故意掺杂的GaN吸收层上；一非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层制作在N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层上；一P型掺杂的AlGaN欧姆接触层制作在非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层上；一N型欧姆接触电极制作在N型掺杂的GaN
专利类型：发明专利
专利号：CN200910077383.1
专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
专利发明（设计）人：刘文宝;孙苋;赵德刚;刘宗顺;张书明;朱建军;王辉;杨辉
主权项：一种氮化镓基雪崩型探测器，其特征在于，包括：一衬底；一N型掺杂的GaN欧姆接触层，该N型掺杂的GaN欧姆接触层制作在衬底上；一非故意掺杂GaN吸收层，该非故意掺杂GaN吸收层制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上，该非故意掺杂GaN吸收层的面积小于N型掺杂的GaN欧姆接触层的面积；一N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层，该N型Al组分渐变的AlGaN层制作在非故意掺杂的GaN吸收层上；一非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层，非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层制作在N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层上；一P型掺杂的Al
专利地区：北京
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