单片集成的微型太阳电池阵列及其制备方法专利登记公告

专利名称：单片集成的微型太阳电池阵列及其制备方法

摘要：本发明一种单片集成的微型太阳电池阵列，其中包括：一衬底；掺杂层，该掺杂层生长在衬底的上面的两侧；一太阳电池功能层，生长在掺杂层的上面；一帽子层，生长在太阳电池功能层的上面，该帽子层的面积小于太阳电池功能层的面积，与太阳电池功能层一侧端对齐；一下绝缘填充层，填充在掺杂层之间，且覆盖于太阳电池功能层的一端及帽子层一端和部分表面；一金属遮光层，生长于下绝缘填充层中间之上，其面积小于下绝缘填充层的面积；一上绝缘填充层，覆盖于下绝缘填充层和金属遮光层；一金属电极，生长于一侧的掺杂层之上，且覆盖于上绝缘填充层及大部分

专利类型：发明专利

专利号：CN200910078559.5

专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所

专利发明（设计）人：王彦硕;陈诺夫;白一鸣;黄添懋;陈晓峰;张汉

主权项：一种单片集成的微型太阳电池阵列，其特征在于，其中包括：一衬底；掺杂层，该掺杂层生长在衬底的上面的两侧；一太阳电池功能层，生长在掺杂层的上面；一帽子层，生长在太阳电池功能层的上面，该帽子层的面积小于太阳电池功能层的面积，与太阳电池功能层一侧端对齐；一下绝缘填充层，填充在掺杂层之间，且覆盖于太阳电池功能层的一端及帽子层一端和部分表面；一金属遮光层，生长于下绝缘填充层中间之上，其面积小于下绝缘填充层的面积；一上绝缘填充层，覆盖于下绝缘填充层和金属遮光层；一金属电极，生长于一侧的掺杂层之上，且覆盖于上绝缘填充层及

专利地区：北京