一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法专利登记公告
专利名称：一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法
摘要：本发明公开了一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法，该方法包括：在P++型硅衬底上生长一层二氧化硅介质，形成场效应晶体管衬底；在该场效应晶体管衬底上涂一层光刻胶，光刻曝光；蒸发源漏金属，形成悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的源漏；蒸发背面金属，形成悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的栅极；将ZnO纳米线沉积到已经蒸发源漏金属的场效应晶体管衬底上；进行退火处理，完成悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的制备。本发明具有成效明显，工艺简单易行，经济适用和可靠性强的优点，容易在微波、毫米波化合物半导体器件制作中推广和应用。
专利类型：发明专利
专利号：CN200910078555.7
专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
专利发明（设计）人：付晓君;张海英;徐静波;黎明
主权项：一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，该方法包括：在P++型硅衬底上生长一层二氧化硅介质，形成场效应晶体管衬底；在该场效应晶体管衬底上涂一层光刻胶，光刻曝光；蒸发源漏金属，形成悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的源漏；蒸发背面金属，形成悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的栅极；将ZnO纳米线沉积到已经蒸发源漏金属的场效应晶体管衬底上；进行退火处理，完成悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的制备。
专利地区：北京
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