一种制造氮面极性AlN/AlInN复合背势垒氮化镓场效应管的方法专利登记公告

专利名称：一种制造氮面极性AlN/AlInN复合背势垒氮化镓场效应管的方法

摘要：本发明公开了一种制造氮面极性AlN/AlInN复合背势垒氮化镓场效应管的方法，该方法的步骤包括在衬底上依次生长氮面极性GaN缓冲层、AlInN调制掺杂层、δ掺杂层、AlInN背势垒隔离层、AlN背势垒隔离层、GaN沟道层和AlGaN前势垒层；由调制掺杂的AlN/AlInN复合背势垒层产生高密度电子气和强背势垒来强化沟道电子气的二维特性，制成高性能氮面极性场效应管。本发明可以增大电子气密度和增厚背势垒，强化背势垒的量子限制和降低势垒层应变及缺陷密度；利用复合背势垒提供的强调制掺杂来进行沟道阱和前势垒的优化设

专利类型：发明专利

专利号：CN201010118619.4

专利申请（专利权）人：中国电子科技集团公司第五十五研究所

专利发明（设计）人：薛舫时;孔月婵;董逊;陈辰

主权项：一种制造氮面极性AlN/AlInN复合背势垒氮化镓场效应管的方法，其特征在于包括以下步骤：1)在衬底(1)上依次生长氮面极性GaN缓冲层(2)和与GaN晶格匹配的AlInN调制掺杂层(3)；2)在AlInN调制掺杂层(3)上依次生长δ掺杂层(4)、AlInN背势垒隔离层(5)和AlN背势垒隔离层(6)，构成AlN/AlInN复合背势垒；3)在AlN/AlInN复合背势垒上生长GaN沟道层(7)和AlGaN前势垒层(8)；4)用干法工艺腐蚀完AlGaN前势垒层(8)后直接在GaN沟道层(7)上制作源、漏欧姆

专利地区：江苏