一种在线检测硅纳米晶形态的方法专利登记公告

专利名称：一种在线检测硅纳米晶形态的方法

摘要：本发明公开了一种在线检测硅纳米晶形态的方法，包括：准备若干片硅片作为衬底，在该各衬底表面分别生长一隧穿介质层；用稀释氢氟酸处理衬底表面，再在该各衬底表面分别生长一层硅纳米晶；利用波长为365nm的单色光作为入射光入射至各衬底表面，由于表面材料和形貌的不同，反射光强必然会发生变化，记录各种生长时间的纳米晶硅片的反射率，建立生长时间与反射率之间的关系式；将以上各种硅片用扫描电镜和透射电镜进行破片分析，确定不同生长时间纳米晶的形态，建立不同纳米晶形态与生长时间的关系式；将纳米晶不同形态与反射率对应起来，建立相应

专利类型：发明专利

专利号：CN200910078556.1

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：刘明;王永;王琴;杨潇楠

主权项：一种在线检测硅纳米晶形态的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：准备若干片硅片作为衬底，在该各衬底表面分别生长一隧穿介质层；步骤2：用稀释氢氟酸处理衬底表面，再用LPCVD的方法在该各衬底表面分别生长一层硅纳米晶；步骤3：利用波长为365nm的单色光作为入射光入射至各衬底表面，由于表面材料和形貌的不同，反射光强必然会发生变化，记录各种生长时间的纳米晶硅片的反射率，建立生长时间与反射率之间的关系式；步骤4：将以上各种硅片用扫描电镜和透射电镜进行破片分析，确定不同生长时间纳米晶的形态，建立不同纳米晶形态与生长

专利地区：北京