分离纳米材料及制作纳米电极的方法专利登记公告

专利名称：分离纳米材料及制作纳米电极的方法

摘要：本发明提供一种分离纳米材料的方法，所述纳米材料为一维纳米材料，所述分离纳米材料的方法包括如下步骤：1)将纳米材料固定在样品台上，获取所述纳米材料与衬底的夹角；2)根据所述纳米材料与衬底的夹角，调整衬底与水平面和离子束入射方向之间的夹角；3)以步骤2)所确定的纳米材料与衬底的位置，对所述纳米材料进行成像，根据成像结果划定切割区域；4)以步骤2)所确定的纳米材料与衬底的位置，利用离子束对切割区域进行切割扫描，直至纳米材料被切断。与现有的纳米材料与衬底分离的方法相比，本发明避免了对纳米材料的破坏与机械损伤；并且

专利类型：发明专利

专利号：CN200910079281.3

专利申请（专利权）人：中国科学院物理研究所

专利发明（设计）人：李无瑕;顾长志

主权项：一种分离纳米材料的方法，所述纳米材料为一维纳米材料，所述分离纳米材料的方法包括如下步骤：1)将纳米材料固定在样品台上，获取所述纳米材料与衬底的夹角；2)根据所述纳米材料与衬底的夹角，调整衬底与水平面和离子束入射方向之间的夹角；3)以步骤2)所确定的纳米材料与衬底的位置，对所述纳米材料进行成像，根据成像结果划定切割区域；4)以步骤2)所确定的纳米材料与衬底的位置，利用离子束对切割区域进行切割扫描，直至纳米材料被切断。

专利地区：北京