台面型晶闸管浪涌抑制器芯片及其制作方法专利登记公告

专利名称：台面型晶闸管浪涌抑制器芯片及其制作方法

摘要：本发明公开了一种台面型晶闸管浪涌抑制器芯片及其制作方法。它包括硅基片，短基区及发射区，在硅基片的边缘设有台面，在台面上还覆盖有高温玻璃，硅基片采用研磨片。其制作方法包括a.在硅基片两面同时掺入杂质，形成短基区，b.在短基区上两面同时掺入高浓度杂质，形成第一导电类型层和发射结，c.利用光刻技术和化学腐蚀法形成发射区图形及台面并在台面四周做一层高温玻璃，d.完成表面金属化。本发明具有结构合理，可靠性好，制造成本低廉等优点。

专利类型：发明专利

专利号：CN200910096325.3

专利申请（专利权）人：绍兴旭昌科技企业有限公司

专利发明（设计）人：邓爱民;保爱林;谢晓东

主权项：一种台面型晶闸管浪涌抑制器芯片，包括硅基片(4)，短基区(1)及发射区(2)，其特征在于：在硅基片(4)的边缘设有台面(3)，在台面(3)上还覆盖有高温玻璃(5)，硅基片(4)采用研磨片。

专利地区：浙江