一种N-P互补肖特基二极管结构专利登记公告

专利名称：一种N-P互补肖特基二极管结构

摘要：一种N-P互补肖特基二极管结构，包括位于同一半导体衬底上的N型肖特基二极管和P型肖特基二极管，其中，N型肖特基二极管结构中包括与轻掺杂阱区直接接触的金属硅化物，而P型肖特基二极管不包括金属硅化物层。本发明提供的N-P互补肖特基二极管结构与传统的N、P肖特基二极管均包括金属硅化物层或均不包括金属硅化物层的N-P互补肖特基二极管相比，克服了金属材料氧化对N型肖特基结特性的影响，同时克服了金属硅化物对P型肖特基结特性的影响，实现了低功耗的技术指标，使得N、P肖特基二极管均具有优良的正向和反向特性，提高了N-P互

专利类型：发明专利

专利号：CN201010121451.2

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：黎坡

主权项：一种N-P互补肖特基二极管结构，包括至少一N型肖特基二极管和至少一P型肖特基二极管，其特征在于：所述N型肖特基二极管和所述P型肖特基二极管位于同一半导体衬底上；所述N型肖特基二极管包括：N型轻掺杂阱区、金属硅化物、扩散阻挡层和金属电极引出层，其中，所述N型轻掺杂阱区位于半导体衬底中，所述金属硅化物与所述N型轻掺杂阱区直接接触形成肖特基结，所述扩散阻挡层和金属电极引出层依次覆盖在所述金属硅化物表面；所述P型肖特基二极管包括：P型轻掺杂阱区和金属电极引出层，其中，所述P型请掺杂阱区位于半导体衬底中，所述金属电

专利地区：上海