一种发光二极管的制备方法专利登记公告

专利名称：一种发光二极管的制备方法

摘要：一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，在该基底的表面依次形成一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；提供一碳纳米管结构，将碳纳米管结构直接铺设在所述第二半导体层的表面，形成一碳纳米管透明导电膜；形成一保护层，覆盖所述碳纳米管结构；除去保护层的第一区域，以暴露出部分碳纳米管结构；在暴露出的碳纳米管结构的表面制备一第一电极；除去保护层的第二区域以及该第二区域以下的碳纳米管结构、第二半导体层和活性层相应部分，以暴露出部分第一半导体层；和在所述暴露出的第一半导体层的表面制备一第二电极。

专利类型：发明专利

专利号：CN200910105809.X

专利申请（专利权）人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

专利发明（设计）人：李群庆;姜开利;范守善

主权项：一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，在该基底的表面依次形成一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；提供一碳纳米管结构，将碳纳米管结构直接铺设在所述第二半导体层的表面，形成一碳纳米管透明导电膜；形成一保护层，覆盖所述碳纳米管结构；除去保护层的第一区域，以暴露出部分碳纳米管结构；在暴露出的碳纳米管结构的表面制备一第一电极；除去保护层的第二区域以及该第二区域以下的碳纳米管结构、第二半导体层及活性层相应部分，以暴露出部分第一半导体层；及在所述暴露出的第一半导体层的表面制备一第二电极。

专利地区：广东