一种增加出光率的LED芯片结构专利登记公告

专利名称：一种增加出光率的LED芯片结构

摘要：本发明涉及一种增加出光率的LED芯片结构，该结构包括叠置在一起的透明钝化层，压焊点，透明电极，n电极，外延层，蓝宝石衬底，爆料及反射层及高导热基座层，所述的透明电极上还设置有一微透镜层；本发明通过在透明电极上设置微透镜结构，增加LED芯片的整体出光效率，大幅提升芯片的外量子效率，高导热基座能够在芯片处于大电流工作条件下有效的克服蓝宝石导热效率差的缺点，将热传导至封装基座上，维持芯片在大电流条件下的出光效率，本发明的芯片结构为LED正装结构，较垂直结构LED工艺简单，能够有效的应用于大功率LED领域。

专利类型：发明专利

专利号：CN200910105904.X

专利申请（专利权）人：世纪晶源科技有限公司

专利发明（设计）人：吴大可;朱国雄

主权项：一种增加出光率的LED芯片结构，该结构包括叠置在一起的透明钝化层，压焊点，透明电极，n电极，外延层，蓝宝石衬底，爆料及反射层及高导热基座层，其特征在于：所述的透明电极上还设置有一微透镜层。

专利地区：广东