碳纳米管高密度Ni层的包覆方法专利登记公告

专利名称：碳纳米管高密度Ni层的包覆方法

摘要：碳纳米管高密度Ni层的包覆方法，其目的是提高碳纳米管包覆镍层的致密度和均匀性，采用阳极弧等离子体法制备碳纳米管，酸化后用去离子水冲洗，静置4小时，收集上清液，反复冲洗若干次，直到pH＝7为止。将全部收集的上清液静置24小时使其沉淀，然后把沉淀物抽滤并烘干，再对烘干后的沉淀物进行敏化、活化、镀覆和热处理。

专利类型：发明专利

专利号：CN200910117604.3

专利申请（专利权）人：兰州理工大学

专利发明（设计）人：李维学;郝远;陈体军;金辉;戴剑锋;王青;石刚;徐莺歌;王敦栋

主权项：碳纳米管高密度Ni层的包覆方法，其步骤为：(1)首先将碳纳米管进行提纯：将碳纳米管放入用浓HNO3和浓H2SO4按体积比1∶3配制的混合酸中浸泡24小时，然后用去离子水反复冲洗，静置4小时，收集上清液，反复冲洗若干次，直至PH＝7为止；将全部收集的上清液静置24小时使其沉淀，然后把沉淀物抽滤并烘干；(2)对提纯后上清液的碳纳米管进行敏化：将提纯后的碳纳米管放入敏化液中30分钟，使得SnCl2沉积在碳纳米管的表面上，然后对溶液进行反复水洗，直到pH＝7后将其烘干；敏化液的成份为SnCl2·2H2O：20g/

专利地区：甘肃