具有熔丝组件的半导体装置的制造方法专利登记公告

专利名称：具有熔丝组件的半导体装置的制造方法

摘要：一种具有熔丝组件的半导体装置的制造方法，包括：提供半导体结构，具有第一组件区与第二组件区；形成熔丝组件于所述第一组件区内的所述半导体结构上；形成第一层间介电层于所述熔丝组件与所述半导体结构上；依序形成刻蚀停止层与第二层间介电层于所述第一层间介电层上；形成焊垫于所述第二组件区内的所述第二层间介电层上；形成保护层覆盖所述焊垫与所述第二层间介电层；于所述保护层内形成第一开口与第二开口，分别位于所述熔丝组件与所述焊垫上；露出所述熔丝组件上的所述刻蚀停止层的顶面及部分侧壁；于所述熔丝组件及其邻近的所述半导体结构上留

专利类型：发明专利

专利号：CN200910118513.1

专利申请（专利权）人：世界先进积体电路股份有限公司

专利发明（设计）人：罗文勋;刘兴潮;陈进东;林光明

主权项：一种具有熔丝组件的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供一半导体结构，具有一第一组件区与一第二组件区；形成一熔丝组件于所述第一组件区内的所述半导体结构上；形成一第一层间介电层，顺应地覆盖所述熔丝组件与所述半导体结构；形成一刻蚀停止层，顺应地覆盖所述第一层间介电层；形成一第二层间介电层，坦覆地覆盖所述刻蚀停止层，其中所述第二层间介电层具有一平坦表面；形成一焊垫于所述第二组件区内的所述第二层间介电层上；形成一保护层，顺应地覆盖所述焊垫与所述第二层间介电层；施行一第一刻蚀程序，图案化所述保护层，分

专利地区：中国