一种形成铜接触互连结构的方法专利登记公告

专利名称：一种形成铜接触互连结构的方法

摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种形成铜接触互连结构的方法。具体为，在接触层的介质开孔露出硅片上源漏的金属硅化物层上形成扩散阻挡层，然后进行铜材料的填充，从而形成互连和硅器件的接触。其中扩散阻挡层的材料为含Si的三元金属氮化物，或含C的三元金属氮化物，金属为难熔金属，该扩散阻挡层的电阻率在100-1000Ωcm之间，厚度在2-50纳米之间。本发明可在半导体元件中源漏与互连之间形成高质量的、黏附性好的铜接触互连结构。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010162432.4

专利申请（专利权）人：复旦大学

专利发明（设计）人：赵莹;屈新萍;谢琦

主权项：一种形成铜接触互连结构的方法，其特征在于具体步骤如下：在介质孔露出源漏金属硅化物表面上依次淀积扩散阻挡层、黏附层/Cu籽晶层，并利用电镀工艺将金属层填进窗口，化学机械抛光后形成所需要的第一层接触工艺；其中，所述扩散阻挡层的材料为含Si的三元金属氮化物，或含C的三元金属氮化物，金属为难熔金属，该扩散阻挡层的电阻率在100-1000μΩ·cm之间，厚度在2-50纳米之间。

专利地区：上海