半导体元件及其制法专利登记公告

专利名称：半导体元件及其制法

摘要：本发明提供一种半导体元件及其制法，该半导体元件包括：一具有一第一区域与一第二区域的半导体基材；多个具有多个金属栅极的晶体管，形成于第一区域；以及至少一电容，形成于第二区域。电容包括：一具有至少一停止结构的上电极，其中停止结构与上电极为不同材料；一下电极；以及一介电层，形成于上电极与下电极之间。本发明能避免或降低CMP工艺(ILD??CMP或金属CMP)造成过度研磨和伤害电容上电极的风险。此研磨停止结构可与栅极结构使用相同的工艺形成，不需要额外的工艺和/或增加目前已使用的工艺步骤复杂度或费用。

专利类型：发明专利

专利号：CN200910151365.3

专利申请（专利权）人：台湾积体电路制造股份有限公司

专利发明（设计）人：庄学理;李宗吉;郑光茗;钟昇镇;梁孟松

主权项：一种半导体元件，包括：一具有一第一区域与一第二区域的半导体基材；多个具有金属栅极的晶体管，形成于该第一区域；以及至少一电容，形成于该第二区域，该电容包括：一具有至少一停止结构的上电极，其中该停止结构与该上电极为不同材料；一下电极；以及一介电层，形成于该上电极与该下电极之间。

专利地区：中国