一种静态随机存储器专利登记公告

专利名称：一种静态随机存储器

摘要：本发明提供了一种静态随机存储器，包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一NMOS管和所述第一PMOS管、所述第二PMOS管分别相连，所述第二NMOS管和所述第一PMOS管、所述第二PMOS管分别相连，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管亦相连，本发明提供的静态随机存储器只使用四个MOS管，最大程度的减小了静态随机存储器的单元面积，有利于形成超高密度的静态随机存储器的存储单元。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010164943.X

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：胡剑

主权项：一种静态随机存储器，其特征在于包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一NMOS管和所述第一PMOS管、所述第二PMOS管分别相连，所述第二NMOS管和所述第一PMOS管、所述第二PMOS管分别相连，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管亦相连。

专利地区：上海