共享字线的无触点纳米晶分栅式闪存专利登记公告

专利名称：共享字线的无触点纳米晶分栅式闪存

摘要：本发明提出的共享字线的无触点纳米晶分栅式闪存，得到的闪存器件将两个存储位单元共享使用一个字线，通过对字线、第一控制栅、第二控制栅、第一位线和第二位线施加不同的工作电压实现对存储位单元的读取、编程和擦除，共享位线的结构使得分栅式闪存其能够在保持芯片的电学隔离性能不变的情况下，有效地缩小芯片的面积，同时也可以避免过擦除的问题。同时采用无触点的设计，使得闪存器件具有尺寸小，工艺与CMOS传统工艺兼容的特点，有利于器件尺寸进一步缩小。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010164918.1

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：曹子贵

主权项：一种共享字线的无触点纳米晶分栅式闪存，其特征在于，包括：半导体衬底，其上具有间隔设置的源极区域和漏极区域；沟道区，位于所述源极区域和漏极区域之间；第一位线和第二位线，分别连接于所述源极区域和漏极区域；纳米晶存储单元，位于所述沟道区上方；字线，位于所述纳米晶存储单元上方，所述字线两侧具有弧形结构延伸至所述第一位线和第二位线上方，并通过绝缘层与所述第一位线和第二位线顶部相隔离；第一控制栅和第二控制栅，分别设置于所述纳米晶存储单元和字线两侧，其中，所述纳米晶存储单元包括第一存储单元和第二存储单元，所述第一存储单

专利地区：上海