半导体元件的制造方法专利登记公告

专利名称：半导体元件的制造方法

摘要：本发明涉及半导体元件的制造方法。具体而言，提供一种以降低的制造成本来制造良好特性的半导体元件的方法。半导体元件的制造方法包括：含GaN的半导体层的形成步骤；电极层形成步骤；在含GaN的半导体层上形成Al膜的步骤；形成由如下材料构成的掩模层的步骤，该材料的蚀刻速率小于Al膜的材料的蚀刻速度；将掩模层用作掩模来形成隆起部的步骤；使Al膜的侧壁的位置相对于掩模层的侧壁的位置凹进的步骤；在隆起部的侧表面和掩模层的顶表面上形成由如下材料构成的保护膜的步骤，该材料的蚀刻速率小于形成Al膜的材料的蚀刻速率；以及去除Al

专利类型：发明专利

专利号：CN200910178733.3

专利申请（专利权）人：住友电气工业株式会社

专利发明（设计）人：片山浩二;北林弘之;荒川聪

主权项：一种半导体元件的制造方法，包括以下各步骤：制备形成所述半导体元件的含氮化镓的半导体层，在所述含氮化镓的半导体层上形成电极层；在所述电极层上形成第一膜；形成具有图案的第二膜，并且所述第二膜由在用碱性蚀刻剂蚀刻时的蚀刻速率小于所述第一膜的材料的蚀刻速率的材料构成；通过在用所述第二膜为掩模的情况下进行蚀刻以部分地去除所述第一膜、所述电极层以及所述含氮化镓的半导体层，从而在位于所述第二膜下面的区域中的所述含氮化镓的半导体层中形成隆起部；通过利用所述碱性蚀刻剂进行蚀刻去除位于所述隆起部上的所述第一膜的端部，使所述第

专利地区：日本