激光二极管器件专利登记公告

专利名称：激光二极管器件

摘要：本发明提供了一种具有简单结构的能够探测激光的激光二极管器件。该激光二极管器件包括通过按该顺序层叠第一导电类型层、有源层和第二导电类型层形成的半导体层，该第二导电类型层包括在其顶部中的条纹状电流限制结构，以及多个电极，其形成在半导体层的第二导电类型层侧上，并且以预定的间隔电连接到第二导电类型层，其中该半导体层在对应于除了至少一个以外的该多个电极的电极(第一电极)的区域中具有感光区域，该感光区域吸收半导体层中发射的光的一部分，以将该部分光转换成电流信号。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010180241.0

专利申请（专利权）人：索尼株式会社

专利发明（设计）人：仓本大

主权项：一种激光二极管器件，其包括：通过按该顺序层叠第一导电类型层、有源层和第二导电类型层形成的半导体层，该第二导电类型层包括在其顶部中的条纹状电流限制结构；以及多个电极，其形成在半导体层的第二导电类型层侧上，并且以预定的间隔电连接到第二导电类型层，其中半导体层在对应于除了至少一个以外的该多个电极中的电极(第一电极)的区域中具有感光区域，该感光区域吸收半导体层中发射的光的一部分，以将该部分光转换成电流信号。

专利地区：日本