一种在玻璃基底上制备取向生长多晶氧化锌薄膜的方法专利登记公告

专利名称：一种在玻璃基底上制备取向生长多晶氧化锌薄膜的方法

摘要：一种在玻璃基底上制备取向生长多晶氧化锌薄膜的方法，步骤如下：1)在磁控溅射镀膜机的靶头上安装一对ZnO陶瓷靶；2)将清洁基底安装基底架上；3)开启磁控溅射镀膜机；4)向真空室通入O2和Ar的混合气；5)在ZnO陶瓷靶上施加电流和电压进行预溅射；6)转动基片架，在基片上生长ZnO薄膜；7)溅射结束后继续抽真空半小时并充入氮气，取出成品即可。本发明的优点是：制备工艺简单，不需要基底加热，不需要特殊的基底材料；ZnO薄膜平均表面粗糙度低且薄膜的电阻率高；与常用制备方法相比，在工业化生产上具有明显成本和技术优势，

专利类型：发明专利

专利号：CN200910229010.1

专利申请（专利权）人：天津理工大学

专利发明（设计）人：王晓姹;陈希明;杨宝和

主权项：一种在玻璃基底上制备取向生长多晶氧化锌薄膜的方法，采用磁控溅射镀膜法制备，其特征在于步骤如下：1)在磁控溅射镀膜机的靶头上安装一对ZnO陶瓷靶；2)将基底材料表面杂质清除后，将基底安装基底架上，基片与靶的距离为10cm；基片在上方，靶在下方；3)开启磁控溅射镀膜机，先后启动一级机械泵和二级分子泵抽真空，直至溅射室的背底真空度优于8×10-6Pa；4)向真空室通入O2和Ar的混合气体，使得真空室中的真空度为1Pa；5)开启溅射电源在ZnO陶瓷靶上进行预溅射；6)打开基片的挡板，同时使基片架转动，每分钟2转；

专利地区：天津