一种两步法生长氧化锌纳米棒阵列的制备工艺专利登记公告

专利名称：一种两步法生长氧化锌纳米棒阵列的制备工艺

摘要：本发明提供一种用两步法在氧化铟锡导电聚酯薄膜上生长ZnO纳米棒阵列(ZNRs)的制备工艺，即先将配制好的ZnO晶核胶体用匀胶法或提拉法在氧化铟锡导电聚酯薄膜上，预制备ZnO种晶，再用低温液相法生长出ZNRs，这种“两步法”很好地解决了直接在氧化铟锡导电聚酯薄膜上无法生长ZNRs的问题，还可以根据需要制备不同密度的ZNRs。这种一维ZNRs，在纳米电子、光电子，柔软电致变色器件等许多领域有很好的应用前景。

专利类型：发明专利

专利号：CN200910272849.3

专利申请（专利权）人：襄樊学院

专利发明（设计）人：胡安正;黄新堂

主权项：一种两步法生长氧化锌纳米棒阵列的制备工艺，其特征在于：a.第一步是用匀胶法或提拉法，将配制好的氧化锌(ZnO)晶核胶体旋涂或提拉到氧化铟锡导电聚酯薄膜上，预制备出疏密度可控的ZnO种晶；b.第二步是生长ZnO纳米棒阵列(ZNRs)，采用低温液相法以硝酸锌和六亚钾基四胺为反应物，在上述预制备有ZnO种晶的氧化铟锡导电聚酯薄膜上，使用选定的实验控制条件大面积生长疏密度和与基底粘附力合适的ZNRs。

专利地区：湖北