一种取向ZnO纳米棒薄膜及其制备方法专利登记公告
专利名称：一种取向ZnO纳米棒薄膜及其制备方法
摘要：本发明提供了一种制备取向ZnO纳米棒薄膜及其制备方法。该向ZnO纳米棒薄膜是ZnO纳米棒垂直于基片向同一方向生长，具有c轴取向性，ZnO纳米棒直径为50-100nm，长度为100-400nm，且长度和大小较均一。该ZnO纳米棒薄膜的制备方法是以锌铁水滑石为前驱体，经溶剂蒸发组装成膜，再在保护气环境下高温焙烧处理，得到取向ZnO纳米棒薄膜。该方法具有设备简单，易操作，反应温度低，对环境无害，产物形貌可控，与基底黏附性好等特点。该取向ZnO纳米棒薄膜具有很好的紫外发光性能，其在390nm处具有很强的紫外带边发
专利类型：发明专利
专利号：CN201010146883.9
专利申请（专利权）人：北京化工大学
专利发明（设计）人：王连英;章定恒;岳爽;何静
主权项：一种取向ZnO纳米棒薄膜，其特征是ZnO纳米棒垂直于基片向同一方向生长，具有c轴取向性，ZnO纳米棒直径为50-100nm，长度为100-400nm，且长度和大小较均一。
专利地区：北京
关于上述专利公告申明 : 上述专利公告转载自国家知识产权局网站专利公告栏目，不代表该专利由我公司代理取得，上述专利权利属于专利权人，未经（专利权人）许可，擅自商用是侵权行为。如您希望使用该专利，请搜索专利权人联系方式，获得专利权人的授权许可。