CMOS像素中的半岛形传输栅专利登记公告

专利名称：CMOS像素中的半岛形传输栅

摘要：一种具有半岛形传输栅(430、430b、430a)的钉扎光电二极管结构(400)，该半岛形传输栅减少在光电二极管(410)与浮动漏极(440)之间的势垒的出现，该钉扎光电二极管结构防止全阱容量(FWC)的损耗且减少图像滞后的发生。

专利类型：发明专利

专利号：CN200980154315.9

专利申请（专利权）人：美商豪威科技股份有限公司

专利发明（设计）人：井原久典

主权项：一种装置，其包括：光电二极管，其形成在衬底中，所述光电二极管包含光敏区域；浮动漏极，其形成在所述衬底中；以及传输栅，其位于介于所述光电二极管与所述浮动漏极之间的所述衬底的表面上，所述传输栅包含突出部，所述突出部至少部分延伸在所述光敏区域上，其中所述传输栅突出部与所述传输栅在同一平面上。

专利地区：美国