平板X射线成像器中的光电二极管和其他传感器结构以及用于基于薄膜电子器件来改进平板X射线成像器中的光电二极管和其他传感器结构的拓扑均匀性的方法专利登记公告

专利名称：平板X射线成像器中的光电二极管和其他传感器结构以及用于基于薄膜电子器件来改进平板X射线成像器中的光电二极管和其他传感器结构的拓扑均匀性的方法

摘要：一种辐射传感器包括：一闪烁层，该闪烁层被配置为在与电离辐射相互作用时发射光子；及一光电检测器，其依次包括第一电极、感光层和与闪烁层邻近设置的可透射光子的第二电极。该感光层被配置为在与所述光子的一部分相互作用时产生电子空穴对。该辐射传感器包括：像素电路，被电连接至第一电极，并且被配置为测量指示在感光层中所产生的所述电子空穴对的成像信号；及平坦化层，被设置在第一电极与像素电路之间的像素电路上，使得第一电极在包括像素电路的平面的上方。所述第一电极和所述第二电极中的至少一个的一表面与该像素电路至少部分地重叠，且具

专利类型：发明专利

专利号：CN201080034885.7

专利申请（专利权）人：密执安州立大学董事会

专利发明（设计）人：L·E·安托努克

主权项：一种辐射传感器，包括：闪烁层，被配置为在与电离辐射相互作用时发射光子；光电检测器，依次包括第一电极、感光层、以及与闪烁层邻近设置的可透射光子的第二电极；所述感光层被配置为在与所述光子的一部分相互作用时产生电子空穴对；像素电路，被电连接至第一电极，并且被配置为测量指示在感光层中所产生的所述电子空穴对的成像信号；平坦化层，被设置在第一电极与像素电路之间的像素电路上，使得第一电极在包括像素电路的平面的上方；所述第一电极和所述第二电极中的至少一个的表面与像素电路至少部分地重叠，并且具有在像素电路的特征的上方的表面

专利地区：美国