化学气相沉积设备的温度控制方法专利登记公告

专利名称：化学气相沉积设备的温度控制方法

摘要：需要一种能够区分衬托器表面和晶片表面之间的温度差异并且通过反映所述温度差异控制温度的方法。为了实现此目的，本发明提供一种化学气相沉积设备的温度控制方法，该化学气相沉积设备包括：腔室；衬托器，位于所述腔室的内侧以在所述腔室中转动，其中晶片层叠在衬托器上侧；设置在所述腔室内并且向所述晶片喷射气体的气体供应单元；设置在所述衬托器内并且加热所述晶片的加热器；以及位于所述腔室中并且测量温度的温度传感器。所述温度控制方法包括步骤：(a)基于所述温度传感器的测量值计算所述衬托器的温度分布，并且，将所述温度分布的相对高温

专利类型：发明专利

专利号：CN200980162273.3

专利申请（专利权）人：丽佳达普株式会社

专利发明（设计）人：洪性在

主权项：一种化学气相沉积设备的温度控制方法，该化学气相沉积设备包括：腔室；可转动地布置在所述腔室中并且被配置为上表面上装载有晶片的衬托器；设置在所述腔室中并且被配置为向所述晶片喷射气体的气体供应单元；设置在所述衬托器中并且被配置为加热所述晶片的加热器；以及设置在所述腔室的上部并且被配置为测量所述衬托器的上表面的温度的温度传感器，所述温度控制方法包括步骤：(a)基于所述温度传感器的测量值计算所述衬托器的温度分布，并且，将所述温度分布的相对高温段分类为衬托器段，将所述温度分布的相对低温段分类为晶片段；以及(b)通过将

专利地区：韩国