半导体基板及半导体基板的制造方法专利登记公告

专利名称：半导体基板及半导体基板的制造方法

摘要：本发明提供半导体基板的制造方法，包括如下步骤：在基底基板上形成校准标记的步骤；形成校准标记的步骤之后，在基底基板上的包含校准标记的区域形成阻挡结晶生长的阻挡层的步骤；根据显示应该形成以校准标记的位置为基准的开口位置，在阻挡层中的未设置校准标记的区域，形成用于露出基板的开口的步骤，以及在开口内使半导体结晶生长的步骤。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080050273.7

专利申请（专利权）人：住友化学株式会社

专利发明（设计）人：佐泽洋幸

主权项：一种半导体基板的制造方法，包括：在基底基板上形成校准标记的步骤；在所述形成校准标记的步骤之后，在所述基底基板上的包含所述校准标记的区域形成阻挡结晶生长的阻挡层的步骤；根据显示应该形成以所述校准标记的位置为基准的开口的位置的信息，在所述阻挡层中的未设置所述校准标记的区域，形成用于露出所述基底基板的所述开口的步骤；以及在所述开口内使半导体结晶生长的步骤。

专利地区：日本