集成电路中的多宽度特征专利登记公告

专利名称：集成电路中的多宽度特征

摘要：一种用于制造集成电路的特征的方法，其包括图案化心轴层以包括在集成电路器件的表面上的具有至少一个宽度的结构。使所述结构的暴露侧壁反应，以在所述侧壁中一体形成新化合物，以便所述新化合物以受控制的量延伸到所述暴露侧壁中而形成柱体。使用所述柱体作为蚀刻掩模蚀刻在所述柱体之下的一个或多个层，以形成用于集成电路器件的特征。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080050411.1

专利申请（专利权）人：国际商业机器公司

专利发明（设计）人：B·多里斯;Y·张;程慷果;S·霍姆斯;X·华

主权项：一种用于制造集成电路的特征的方法，其包含以下步骤：图案化心轴层以包括在半导体衬底的表面上的具有两个或更多的宽度的结构；使所述结构的暴露侧壁反应，以在所述侧壁中一体形成新化合物，以便所述新化合物以受控制的量延伸到所述暴露侧壁中而形成柱体；以及使用所述柱体作为蚀刻掩模蚀刻在所述柱体之下的一个或多个层，以形成用于集成电路器件的特征。

专利地区：美国