制造碳化硅衬底的方法和设备专利登记公告

专利名称：制造碳化硅衬底的方法和设备

摘要：执行准备堆叠体（TX）的步骤，将第一单晶衬底组（10a）中的每个单晶衬底和第一基本衬底（30a）安置成彼此面对面，将第二单晶衬底组（10b）中的每个单晶衬底和第二基本衬底（30b）安置成彼此面对面，并且在一个方向上按顺序堆叠第一单晶衬底组（10a）、第一基本衬底（30a）、插入部（60X）、第二单晶衬底组（10b）和第二基本衬底（30b）。接下来，加热堆叠体（TX），使堆叠体（TX）的温度达到碳化硅能够升华的温度，以在堆叠体（TX）中形成其温度在所述方向上逐渐增加的温度梯度。通过这种方式，可以高效地制造碳

专利类型：发明专利

专利号：CN201180004456.X

专利申请（专利权）人：住友电气工业株式会社

专利发明（设计）人：井上博挥;原田真;佐佐木信;西口太郎;冲田恭子;并川靖生

主权项：一种制造碳化硅衬底（81）的方法，包括步骤：准备堆叠体（TX），所述堆叠体包括：每个都由碳化硅制成的第一和第二单晶衬底组（10a，10b），每个都由碳化硅制成的第一和第二基本衬底（30a，30b），以及由在碳化硅的升华温度上具有固态的材料制成的插入部（60X），准备所述堆叠体的步骤被执行为以使得：所述第一单晶衬底组中的每个单晶衬底和所述第一基本衬底被定位成彼此面对面，所述第二单晶衬底组中的每个单晶衬底和所述第二基本衬底被定位成彼此面对面，并且所述第一单晶衬底组、所述第一基本衬底、所述插入部、所述第二单晶衬

专利地区：日本