半导体装置及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体装置及其制造方法

摘要：本申请的目的在于提供能够通过钎焊接合接合构件和被接合构件使得接合层的内部不残留空隙的半导体装置及其制造方法。因此，本发明的一个实施方式的特征在于，在包括被接合构件和通过钎焊与所述被接合构件接合的接合构件的半导体装置中，在所述被接合构件上设置有通孔，所述通孔在所述被接合构件与所述接合构件的接合面上开口，与所述通孔连通的通路被设置在所述接合构件的所述接合构件与所述被接合构件的接合面和所述被接合构件的所述被接合构件与所述接合构件的接合面中的至少一者上。

专利类型：发明专利

专利号：CN200980162622.1

专利申请（专利权）人：丰田自动车株式会社

专利发明（设计）人：竹纳靖治;垣内荣作;建部胜彦;森野正裕;竹永智裕

主权项：一种半导体装置，包括接合构件以及通过钎焊接合了所述接合构件的被接合构件，所述半导体装置的特征在于，在所述被接合构件上设置有通孔，所述通孔在所述被接合构件的所述被接合构件与所述接合构件的接合面上开口，与所述通孔连通的通路被设置在所述接合构件的所述接合构件与所述被接合构件的接合面和所述被接合构件的所述被接合构件与所述接合构件的接合面中的至少一者上。

专利地区：日本