具有多层接触的半导体器件专利登记公告

专利名称：具有多层接触的半导体器件

摘要：本发明提供了一种具有多层接触结构的半导体。所述多层结构包括放置在半导体有源区上的金属接触和放置在所述金属接触上的金属接触延伸。

专利类型：发明专利

专利号：CN200980163045.8

专利申请（专利权）人：NXP股份有限公司

专利发明（设计）人：森克·哈贝尼希特;德特勒夫·奥尔格思拉格;奥尔里克·舒马赫;斯坦芬·本特·伯格伦德

主权项：一种双极晶体管半导体器件，包括：第一衬底层，包括第一导电类型的集电极区；第二衬底层，位于所述第一衬底层上方，所述第二衬底层包括第二导电类型的基极区；第一导电类型的发射极区，位于所述第二衬底层的上部区域中；发射极接触，位于所述第二衬底层上方并且与所述发射极区相连；基极接触，位于所述第二衬底层上方并且与所述基极区相连；钝化层，位于所述基极接触上方；以及延伸接触，位于所述发射极接触上方并且与所述发射极接触电连接，所述延伸接触具有下表面，所述下表面与所述发射极接触的上表面一起形成界面，所述界面设置用于提供穿过所述

专利地区：荷兰