半导体晶体管的制造方法、使用了由该方法制造的半导体晶体管的驱动电路、包括该驱动电路和显示元件的像素电路、该像素电路配置成行列状的显示面板、以及具有该显示面板的显示装置专利登记公告

专利名称：半导体晶体管的制造方法、使用了由该方法制造的半导体晶体管的驱动电路、包括该驱动电路和显示元件的像素电路、该像素电路配置成行列状的显示面板、以及具有该显示面板的显示装置

摘要：一种半导体晶体管的制造方法，包括：第1工序，在包括基板的基底层上形成含有抗蚀剂材料的抗蚀剂层(4)；第2工序，对抗蚀剂层(4)进行局部图案形成，在抗蚀剂层(4)形成多个开口；第3工序，在抗蚀剂层(4)上及抗蚀剂层(4)的多个开口的内部形成含有构成源电极及漏电极的金属材料的金属层(5)；第4工序，对由于金属层(5)的表面部分被氧化而形成的金属氧化物层(6)，使用清洗液进行清洗处理由此将其除去；第5工序，在第4工序之后，使用与所述清洗液不同的溶解液除去抗蚀剂层(4)，由此形成由在抗蚀剂层(4)的多个开口形成的

专利类型：发明专利

专利号：CN201080020803.3

专利申请（专利权）人：松下电器产业株式会社

专利发明（设计）人：奥本 有子;宫本 明人

主权项：一种半导体晶体管的制造方法，所述半导体晶体管具有栅电极、栅极绝缘层、源电极、漏电极及半导体层，所述制造方法包括：第1工序，在包括基板的基底层上形成含有抗蚀剂材料的抗蚀剂层；第2工序，对所述抗蚀剂层进行局部图案形成，在抗蚀剂层形成多个开口；第3工序，在所述抗蚀剂层上及所述抗蚀剂层的多个开口的内部，形成含有构成源电极及漏电极的金属材料的金属层；第4工序，对由于所述金属层的表面部分被氧化而形成的金属氧化物层，通过使用清洗液进行清洗处理而除去；第5工序，在所述第4工序之后，使用与所述清洗液不同的溶解液除去所述抗蚀

专利地区：日本