具有自对准外延源和漏的多栅半导体器件专利登记公告

专利名称：具有自对准外延源和漏的多栅半导体器件

摘要：具有低寄生电阻的沟道应变多栅晶体管及其制造方法。栅叠层可在具有栅耦合侧壁高度(Hsi)的半导体翼片之上形成，蚀刻速率控制掺杂剂可注入与栅叠层相邻的半导体翼片的源/漏区中以及注入半导体翼片的源/漏扩展区中。可蚀刻掺杂翼片区，以便去除在沟道区附近至少等于Hsi的厚度的半导体翼片，并且形成源/漏扩展底切。材料可在暴露半导体衬底上生长，以便形成再生长源/漏翼片区，从而填充源/漏扩展底切区。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080058549.6

专利申请（专利权）人：英特尔公司

专利发明（设计）人：A. 卡佩拉尼;T. 加尼;K-Y. 沈;A. S. 墨菲;H. 戈麦斯

主权项：?一种形成多栅晶体管的方法，包括：在具有栅耦合沟道侧壁高度(Hsi)的半导体翼片的沟道区之上形成栅叠层；将蚀刻速率控制掺杂剂注入与所述栅叠层相邻的半导体翼片的源/漏区中；蚀刻掺杂翼片区，以便去除大约等于Hsi的厚度的半导体翼片，并且形成源/漏扩展空腔，从而暴露所述栅叠层的一部分下方的半导体衬底部分；以及在所暴露半导体衬底上生长材料以形成再生长源/漏翼片区，从而填充所述源/漏扩展空腔，并且沿基本上平行于所述沟道的长度的方向背离所述栅叠层延伸长度。

专利地区：美国