晶片结构的电耦合专利登记公告

专利名称：晶片结构的电耦合

摘要：提供了一种用于使第一晶片（105）与第二晶片（103）电耦合的方法。该方法包括使用接合材料（121）来使第一晶片与第二晶片接合。该方法还包括在第一晶片中在第二晶片的划线区（141或143）内形成开口（201或203）以使第二晶片的导电结构（108或112）的表面露出。该方法还包括形成覆盖于第一晶片及第一晶片内的开口之上的导电层，使得导电层与第二晶片的导电结构（108或112）形成电接触，从而使第一晶片与第二晶片电耦合。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080056932.8

专利申请（专利权）人：飞思卡尔半导体公司

专利发明（设计）人：刘连军;L·H·卡尔林;A·J·马格纳斯

主权项：一种用于使第一晶片与第二晶片电耦合的方法，所述方法包括：使所述第一晶片与所述第二晶片接合；在所述第一晶片中在所述第二晶片的划线区内形成开口以使得所述二晶片的导电结构的表面露出；以及形成覆盖于所述第一晶片及所述第一晶片中的所述开口之上的导电层，使得所述导电层与所述第二晶片的导电结构形成电接触，从而使所述第一晶片与所述第二晶片电耦合。

专利地区：美国