氮化物半导体发光元件及其制造方法专利登记公告
专利名称：氮化物半导体发光元件及其制造方法
摘要：本发明提供能够得到充分的光输出的氮化物半导体发光元件及其制造方法。具备：具有n型氮化物半导体的第1包覆层（13）；形成于第1包覆层（13）上的、具有包括In的氮化物半导体的有源层（14）；形成于有源层（14）上的GaN层（17）；形成于GaN层（17）上的、具有第一Al组成比（x1）的第一AlGaN层（18）；形成于第一AlGaN层（18）上的、具有比第一Al组成比（x1）高的第二Al组成比（x2）且含有比GaN层（17）及第一AlGaN层（18）多的Mg的p型第二AlGaN层（19）；以及形成于第二Al
专利类型：发明专利
专利号：CN200980163090.3
专利申请（专利权）人：株式会社 东芝
专利发明（设计）人：名古肇;橘浩一;冈俊行;木村重哉;布上真也
主权项：一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，具备：第1包覆层，其具有n型氮化物半导体；有源层，其形成于上述第1包覆层上，具有包括In的氮化物半导体；GaN层，其形成于上述有源层上；第一AlGaN层，其形成于上述GaN层上，具有第一Al组成比；p型的第二AlGaN层，其形成于上述第一AlGaN层上，具有比上述第一Al组成比高的第二Al组成比，且含有比上述GaN层及上述第一AlGaN层多的Mg；以及第2包覆层，其形成于上述第二AlGaN层上，具有p型氮化物半导体。
专利地区：日本
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