光电子半导体芯片专利登记公告

专利名称：光电子半导体芯片

摘要：在光电子半导体芯片（1）的至少一个实施形式中，所述光电子半导体芯片包括具有有源层（3）的层序列（2）。此外，半导体芯片（1）包括光耦合输出层（4），所述光耦合输出层至少间接地施加在半导体层序列（2）的辐射穿透面（20）上。光耦合输出层（4）的材料与半导体层序列（2）的材料不同，并且光耦合输出层（4）和半导体层序列（2）的材料的折射率彼此相差最高20%。通过在光耦合输出层（4）中的凹部（44）形成小平面（40），其中凹部（44）不完全穿透光耦合输出层（4）。此外，小平面（40）具有相当于辐射穿透面（20）的

专利类型：发明专利

专利号：CN201080058884.6

专利申请（专利权）人：欧司朗光电半导体有限公司

专利发明（设计）人：尼古劳斯·格迈因维泽;马蒂亚斯·扎巴蒂尔;安德烈亚斯·莱贝尔

主权项：光电子半导体芯片（1），具有?半导体层序列（2），所述半导体层序列具有用于产生电磁辐射的至少一个有源层（3），和?光耦合输出层（4），所述光耦合输出层至少间接地施加在所述半导体层序列（2）的辐射穿透面（20）上，其中?所述光耦合输出层（4）的材料与所述半导体层序列（2）的材料不同，?所述光耦合输出层（4）的材料和所述半导体层序列（2）的材料的折射率彼此相差最高20%，?通过在所述光耦合输出层（4）中的凹部（44）形成具有小平面（40）的耦合输出结构，?所述光耦合输出层（4）在所述辐射穿透面（20）上的区域

专利地区：德国