发光二极管及其制造方法专利登记公告

专利名称：发光二极管及其制造方法

摘要：一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括：一基板单元、一发光单元、一反射单元、一第一电极及一第二电极。该反射单元将射向该第一电极的光线反射，且该反射单元包括一第一主体，该第一电极包括一个对应地位于该第一主体的上方的第一电极主体，所述第一主体的几何半径大于该第一电极主体的几何半径。通过该反射单元的设计，其电流阻障效果良好而可使电流均匀扩散，且该反射单元阻挡下方及外侧光线直接射向该第一电极，并将光线反射，减少该第一电极的吸光现象，提高发光效率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010000448.5

专利申请（专利权）人：晶发光电股份有限公司

专利发明（设计）人：林志胜;吴哲雄

主权项：一种发光二极管，包括：一个基板单元、由邻近而远离该基板单元而设置的一个发光单元、一个反射单元与一个第一电极以及一个电连接该发光单元的第二电极，其特征在于，该反射单元将该发光单元发出而射向该第一电极的光线反射，且该反射单元包括一个第一主体，该第一电极包括一个对应地位于该第一主体的上方的第一电极主体，所述第一主体的几何半径大于该第一电极主体的几何半径。

专利地区：中国