一种发光二极管专利登记公告

专利名称：一种发光二极管

摘要：本发明涉及一种带有非平面全反射层的发光二极管。其中非平面全反射层设置于有源层远离第二半导体层的方向上，其可设置于衬底与过渡层之间，或者可以设置于衬底远离过渡层的表面上，或者可以设置于第一半导体层和有源层之间，或者在衬底上设置缓冲层并在缓冲层上设置非平面全反射层。本发明带有非平面全反射层的发光二极管可以有效反射有源层发出的光，从而提高发光二极管的出光效率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010168596.8

专利申请（专利权）人：武汉迪源光电科技有限公司

专利发明（设计）人：李鸿建;项艺;易贤;杨新民;靳彩霞;董志江

主权项：一种发光二极管，包括依次叠加的衬底、过渡层、第一半导体层、有源层和第二半导体层，其特征在于：在有源层远离第二半导体层的一侧设置有非平面的全反射层。

专利地区：湖北