降低硅衬底LED外延应力的方法以及结构专利登记公告

专利名称：降低硅衬底LED外延应力的方法以及结构

摘要：本发明公开了一种降低硅衬底LED外延应力的方法以及结构，用于解决镓回熔的问题，以及降低外延层与硅衬底之间的应力，以提高芯片的良率。本发明包括：在硅衬底上生长晶格失配层，晶格失配层为发光材料不会在其上成核、生长或相对缓冲层生长得更慢，且不与反应物中的气体物质发生反应的材料；对晶格失配层构图；在晶格失配层构图后的互补区域生长缓冲层；在缓冲层和晶格失配层上生长发光材料层，生长过程中，在晶格失配层上方形成空洞；将外延层转移到新的支撑衬底上，去除生长衬底，以及去除晶格失配层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010137778.9

专利申请（专利权）人：晶能光电(江西)有限公司

专利发明（设计）人：汤英文;江风益;方文卿;王立

主权项：一种降低硅衬底LED外延应力的方法，包括：在硅衬底上生长晶格失配层，晶格失配层为发光材料不会在其上成核、生长或相对缓冲层生长得更慢，且不与反应物中的气体物质发生反应的材料；对晶格失配层构图；在晶格失配层构图后的互补区域生长缓冲层；在缓冲层和晶格失配层上生长发光材料层，生长过程中，在晶格失配层上方形成空洞；将外延层转移到新的支撑衬底上，去除生长衬底，以及去除晶格失配层。

专利地区：江西