用于衬底通孔的阻挡结构和方法专利登记公告

专利名称：用于衬底通孔的阻挡结构和方法

摘要：本发明公开了一种用于衬底通孔的阻挡结构和方法。在一个实施例中，半导体器件包括第一衬底，第一衬底包括设置在隔离区域内的有源器件区域。衬底通孔设置为与有源器件区域相邻并且在第一衬底内。在衬底通孔的至少一部分周围设置缓冲层，其中，缓冲层被设置在隔离区域和衬底通孔之间。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010107369.4

专利申请（专利权）人：台湾积体电路制造股份有限公司

专利发明（设计）人：刘明达;许昭顺;曾雅雯;邱文智;吴文进

主权项：一种半导体器件，包括：有源器件区域，设置在第一衬底的隔离区域中；衬底通孔，设置在所述第一衬底内，所述衬底通孔被设置为与所述有源器件区域相邻；以及缓冲层，设置在所述衬底通孔的至少一部分周围，其中，所述缓冲层设置在所述隔离区域与所述衬底通孔之间。

专利地区：中国