使用可能性写入对MRAM单元进行编程专利登记公告

专利名称：使用可能性写入对MRAM单元进行编程

摘要：一种使用可能性写入对MRAM单元进行编程的方法包括：提供写入脉冲以向MRAM单元写入值；以及在提供第一写入脉冲的步骤之后立即检验MRAM单元的状态。在写入失败的情况下，将值重写入MRAM单元。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010110918.3

专利申请（专利权）人：台湾积体电路制造股份有限公司

专利发明（设计）人：庄建祥;王鸿森;钟道文;林春荣;王郁仁

主权项：一种写入磁阻随机存取存储器(MRAM)单元的方法，所述方法包括：提供第一写入脉冲以向所述MRAM单元写入值；以及在提供所述第一写入脉冲的步骤之后立即检验所述MRAM单元的状态。

专利地区：中国

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