可增加写入裕量的静态随机存取存储器专利登记公告
专利名称：可增加写入裕量的静态随机存取存储器
摘要：本发明一种可增加写入裕量的静态随机存取存储器，至少包含：静态随机存取存储单元阵列，该静态随机存取存储单元阵列包含多个以阵列形式排列的静态随机存取存储单元；以及可控电源电路，连接于该静态随机存取存储单元阵列，用于给每个静态随机存取存储单元提供可控的电压，本发明在读出和保持模式下，静态随机存取存储单元阵列每列的供电电压及电源负端电压不变，当需要进行写入操作时，使被操作的静态随机存取存储单元所在列的供电电压减小或使得被操作的静态随机存取存储单元所在列的电源负端电压提高，其他列电压不变，这样可以使得本发明的静态随
专利类型：发明专利
专利号：CN201010163847.3
专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司
专利发明（设计）人：胡剑
主权项：一种可增加写入裕量的静态随机存取存储器，至少包含：静态随机存取存储单元阵列，该静态随机存取存储单元阵列包含多个以阵列形式排列的静态随机存取存储单元；以及可控电源电路，连接于该静态随机存取存储单元阵列，用于给每个静态随机存取存储单元提供可控的电压。
专利地区：上海
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