半导体器件专利登记公告

专利名称：半导体器件

摘要：本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底，在所述衬底中形成的多个浅隔离沟槽；在所述衬底中形成的多个有源区，所述相邻的有源区通过所述多个浅隔离沟槽间隔开；在所述多个浅隔离沟槽上形成的多晶硅层；在所述有源区和多晶硅层上形成的多层层间介电层和夹在相邻层间介电层之间的第一金属层；在位于顶层的层间介电层上形成的第二金属层，用于形成平面电感；所述有源区和多晶硅层通过在层间介电层中形成的接触孔接地从而形成图案化接地屏蔽层。根据本发明，与没有设置图案化接地屏蔽层的平面电感相比，插入图案化接地屏蔽层的平面电感提供了具有可比性或更好的Q性能，也可以减少感应的衬底耦合噪声对电路的影响。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010118042.7

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

专利发明（设计）人：程仁豪

主权项：一种半导体器件，包括：衬底；在所述衬底中形成的多个浅隔离沟槽；在所述衬底中形成的多个有源区，所述相邻的有源区通过所述多个浅隔离沟槽间隔开；在所述多个浅隔离沟槽上形成的多晶硅层；在所述有源区和多晶硅层上形成的多层层间介电层和夹在相邻层间介电层之间的第一金属层；在位于顶层的层间介电层上形成的第二金属层，用于形成平面电感；所述有源区和多晶硅层通过在层间介电层中形成的接触孔接地从而形成图案化接地屏蔽层。

专利地区：上海