一种基于P型外延层的BCD集成器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：一种基于P型外延层的BCD集成器件及其制造方法

摘要：一种基于P型外延层的BCD集成器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一衬底上集成了高压nLDMOS器件、高压nLIGBT器件、低压PMOS器件、低压NMOS器件、低压PNP器件和低压NPN器件，各器件制作于P型衬底表面的P型外延层中，并通过P型外延层实现自隔离；在高压器件下方的P型衬底和P型外延层之间具有N型埋层，在低压器件下方的两侧P型外延层可有(或没有)N型埋层。本发明通过引入N型埋层实现相同击穿电压下可以使用更低电阻率的硅片作为衬底，避免了采用区熔FZ法制造的单晶硅片带来的芯片制造成本的增加，从而降低了芯片的制造成本。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110105545.5

专利申请（专利权）人：电子科技大学

专利发明（设计）人：乔明;银杉;赵远远;何逸涛;胡曦;王猛;庄翔

主权项：一种基于P型外延层的BCD集成器件，包括集成于同一P型衬底(1)上的高压nLDMOS器件、高压nLIGBT器件、低压PMOS器件、低压NMOS器件、低压PNP器件和低压NPN器件；其特征在于：所述高压nLDMOS器件、高压nLIGBT器件、低压PMOS器件、低压NMOS器件、低压PNP器件和低压NPN器件制作于P型衬底表面的P型外延层(4)中，并通过P型外延(4)形成器件之间的自隔离；在高压nLDMOS器件下方的P型衬底(1)和P型外延层(4)之间具有第一N型埋层(2)，在高压nLIGBT器件下方的P型衬底(1)和P型外延层(4)之间具有第二N型埋层(3)。

专利地区：四川