一种基于MOS控制的增强型GaN异质结场效应晶体管专利登记公告

专利名称：一种基于MOS控制的增强型GaN异质结场效应晶体管

摘要：一种基于MOS控制的增强型GaN异质结场效应晶体管，属于功率半导体器件技术领域。包括单片集成的低压MOS管和耗尽型GaN异质结场效应晶体管；其中，MOS管的漏极和耗尽型GaN异质结场效应晶体管的源极相连；二者的栅极互连，或者GaN异质结场效应晶体管的栅极与MOS管的源极互连；MOS管和耗尽型GaN异质结场效应晶体管之间采用介质隔离槽隔离。本发明通过控制与耗尽型GaN异质结场效应晶体管相串联的低压MOS管的开关状态实现了将耗尽型GaN异质结场效应晶体管向增强型GaN异质结场效应晶体管的转变，不仅具有低压MOS器件的常关型特性，而且具有耗尽型GaN异质结场效应晶体管的高耐压、低导通电阻等优点，具有良好的频率特性和输出功率密度，适用于高频、大功率领域。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110105996.9

专利申请（专利权）人：电子科技大学

专利发明（设计）人：陈万军;魏进;汪志刚;张竞;张波

主权项：一种基于MOS控制的增强型GaN异质结场效应晶体管，包括低压MOS管(1)和耗尽型GaN异质结场效应晶体管(2)；其特征在于，MOS管(1)和耗尽型GaN异质结场效应晶体管(2)集成于同一衬底基片上；MOS管(1)的漏极和耗尽型GaN异质结场效应晶体管(2)的源极由金属层电气连接；GaN异质结场效应晶体管(2)的栅极与MOS管(1)的栅极互连；MOS管(1)和耗尽型GaN异质结场效应晶体管(2)之间采用介质隔离槽隔离。

专利地区：四川