III族氮化物半导体的气相生长装置专利登记公告

专利名称：III族氮化物半导体的气相生长装置

摘要：本发明提供一种III族氮化物半导体的气相生长装置，其包括用于保持基板的托盘；该托盘的抵抗面；用于对该基板进行加热的加热器；设置于该托盘的中心部的原料气体导入部；由该托盘和该托盘的抵抗面的间隙形成的反应炉等，即使在保持于具有较大直径的托盘上的大直径的多个基板的表面上进行晶体生长的情况下，即使在1000℃以上的温度对基板进行加热，晶体生长的场合，仍可有效地实现晶体生长。形成下述的气相生长装置，其具有所设置的基板和托盘的抵抗面之间的距离非常窄，并且使制冷剂在托盘的抵抗面流通的结构。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010120474.1

专利申请（专利权）人：日本派欧尼株式会社

专利发明（设计）人：矶宪司;石滨义康;高木亮平;高桥让

主权项：一种III族氮化物半导体的气相生长装置，其包括用于保持基板的直径在30～200cm的范围内的托盘；该托盘的抵抗面；用于对该基板进行加热的加热器；设置于该托盘的中心部的原料气体导入部；由该托盘和该托盘的抵抗面的间隙形成的反应炉；设置于该托盘的外周侧的反应气体排出部，其特征在于基板和托盘的抵抗面的间隙在基板的上游侧的位置，在2～8mm的范围内，并且在基板的下游侧的位置，在1～5mm的范围内，该气相生长装置具有使制冷剂在该托盘的抵抗面流通的结构，在反应炉中原料气体所接触的部分的材料由碳系材料、氮化物系材料、碳化

专利地区：日本