半导体装置专利登记公告

专利名称：半导体装置

摘要：本发明提供一种半导体装置，在整流装置等电力半导体装置中兼具对大功率化·无铅化的对应性和较高的热疲劳寿命性能。本发明的半导体装置中，半导体芯片、隔着所述半导体芯片相对的基电极及引线电极、以及将它们电接合的接合层叠层，所述半导体芯片、所述接合层、所述基电极的一部分以及所述引线电极的一部分被密封树脂密封，其特征在于，所述密封树脂的线膨胀系数在距离所述基电极的线膨胀系数-2ppm/℃以上+2.5ppm/℃以下的范围内。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010121520.X

专利申请（专利权）人：株式会社日立制作所;日立原町电子工业株式会社

专利发明（设计）人：石川耕一;恩田智弘;水野惠

主权项：一种半导体装置，半导体芯片、隔着所述半导体芯片相对的基电极及引线电极、以及将它们电接合的接合层叠层，所述半导体芯片、所述接合层、所述基电极的一部分、以及所述引线电极的一部分被密封树脂密封，其特征在于，所述密封树脂的线膨胀系数，在距离所述基电极的线膨胀系数-2ppm/℃以上+2.5ppm/℃以下的范围内。

专利地区：日本