微电容MOS变容管和变容二极管的短路去嵌测试结构专利登记公告

专利名称：微电容MOS变容管和变容二极管的短路去嵌测试结构

摘要：本发明公开了一种微电容MOS变容管和变容二极管的短路去嵌测试结构，包括：多个金属层，多个金属层包括顶金属层，顶金属层下的第1金属层和至少一个中间金属层，第1金属层包括一个回路，顶金属层分为四个互不相连的区域，中间金属层包括信号端口中间金属层区域和接地端口中间金属层区域中的中间金属层区段，第1信号端口中间金属层区域中距离第1金属层的回路最近的中间金属层区段和第2信号端口中间金属层区域中的中间金属层区段连通，第1信号端口中间金属层区域和第1金属层的回路连接，第2信号端口中间金属层区域和第1金属层的回路断开。根据本发明的结构能够有效清除寄生电阻，提高测试结构参数与实际电路参数的一致性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010124713.0

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

专利发明（设计）人：蒋立飞;吴颜明

主权项：一种微电容MOS变容管和变容二极管的短路去嵌测试结构，其特征在于，所述短路去嵌测试结构包括：多个金属层，所述多个金属层包括顶金属层，位于所述顶金属层下的第1金属层和所述顶金属层与所述第1金属层之间的至少一个中间金属层，所述第1金属层包括一个回路，所述顶金属层分为四个互不相连的区域，所述区域包括：分别与两个信号端口连接的第1信号端口顶金属层区域和第2信号端口顶金属层区域，及分别将位于所述两个信号端口连线方向同侧的两个相邻接地端口连接在一起的两个接地端口顶金属层区域，所述中间金属层包括位于所述第1信号端口顶金属层区域下的第1信号端口中间金属层区域中的中间金属层区段和位于所述第2信号端口顶金属层区域下的第2信号端口中间金属层区域中的中间金属层区段，及位于相应所述接地端口顶金属层区域下的接地端口中间金属层区域中的中间金属层区段，所述第1信号端口中间金属层区域和所述第2信号端口中间金属层区域中的距离所述第1金属层的回路最近的中间金属层区段连通，所述接地端口顶金属层区域和所述接地端口中间金属层区域中的中间金属层区段及所述第1金属层的回路逐层连接，所述第1信号端口顶金属层区域与所述第1信号端口中间金属层区域中的中间金属层区段逐层连接，和所述第2信号端口顶金属层区域与所述第2信号端口中间金属层区域中的中间金属层区段逐层连接，所述第1信号端口中间金属层区域和所述第1金属层的回路连接，所述第2信号端口中间金属层区域和所述第1金属层的回路断开，所述接地端口中间金属层区域中的中间金属层区段的范围在相应的所述接地端口顶金属层区域的覆盖范围内。

专利地区：上海