交错式存储器电路及交错存取存储器电路的方法专利登记公告

专利名称：交错式存储器电路及交错存取存储器电路的方法

摘要：本发明涉及交错式存储器电路及交错存取存储器电路的方法。一种交错式存储器电路包括第一存储器库，包括至少一第一存储器晶格；第一区域控制电路；第二存储器库，包括至少一第二存储器晶格，并与第二字元线及第二位元线；一第二区域控制电路；输入输出区块，与该第一存储器库及该第二存储器库耦接；以及全域控制电路，交错式存取包括使用一时钟脉冲信号，该时钟脉冲信号包括一第一周期与一第二周期，分别用以存取该第一存储器晶格与该第二存储器晶格，其中该第二周期用以使能该第一区域控制电路以触发一第一读行选取信号的一第一转变，其中该第一读行

专利类型：发明专利

专利号：CN201010125288.7

专利申请（专利权）人：台湾积体电路制造股份有限公司

专利发明（设计）人：许国原;黄明杰;金永英;苏布拉马尼·肯基瑞

主权项：一种交错式存储器电路包括：一第一存储器库，包括至少一第一存储器晶格，该第一存储器晶格用以储存代表一第一数据的电荷，并与一第一字元线及一第一位元线耦接；一第一区域控制电路，与该第一存储器库耦接；一第二存储器库，包括至少一第二存储器晶格，该第二存储器晶格用以储存代表一第二数据的电荷，并与一第二字元线及一第二位元线；一第二区域控制电路，与该第二存储器库耦接；一输入输出区块，与该第一存储器库及该第二存储器库耦接；以及一全域控制电路，与该第一及第二区域控制电路耦接，一交错式存取包括使用一时钟脉冲信号，该时钟脉冲信号

专利地区：中国