进行高速缓存读取的方法和器件专利登记公告

专利名称：进行高速缓存读取的方法和器件

摘要：提供一种半导体器件中的读取方法。该方法包括：以第一存储器单元中的数据来设定位线；和将所述位线上的所述数据存储于寄存器中，其中所述寄存器中的数据在以第二存储器单元中的数据来设定所述位线的同时，被传送至数据总线。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010167375.9

专利申请（专利权）人：三星电子株式会社

专利发明（设计）人：李真烨;黄相元

主权项：一种半导体器件中的读取方法，包括：以第一存储器单元中的数据来设定位线；和将所述位线上的所述数据存储于寄存器中，其中所述寄存器中的数据在以第二存储器单元中的数据来设定所述位线的同时，被传送至数据总线。

专利地区：韩国

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